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    動態光散射納米粒度和zeta電位儀

    更新時間:2022-05-25

    訪問量:279

    廠商性質:生產廠家

    設備型號:S920

    簡要描述:
    梓夢科技動態光散射納米粒度和zeta電位儀原理
    當激光照射到分散于液體介質中的微小顆粒時,由于顆粒的布朗運動引起散射光的頻率偏移,導致散射光信號隨時間發生動態變化,該變化的大小與顆粒的布朗運動速度有關,而顆粒的布朗運動速度又取決于顆粒粒徑的大小,顆粒大布朗運動速度低,反之顆粒小布朗運動速度高
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    動態光散射納米粒度和zeta電位儀

    梓夢科技動態光散射納米粒度及zeta電位分析儀原理

    當激光照射到分散于液體介質中的微小顆粒時,由于顆粒的布朗運動引起散射光的頻率偏移,導致散射光信號隨時間發生動態變化,該變化的大小與顆粒的布朗運動速度有關,而顆粒的布朗運動速度又取決于顆粒粒徑的大小,顆粒大布朗運動速度低,反之顆粒小布朗運動速度高,因此動態光散射納米粒度及zeta電位分析儀技術是分析樣品顆粒的散射光強隨時間的漲落規律,使用光子探測器在固定的角度采集散射光,通過相關器進行自相關運算得到相關函數,再經過數學反演獲得顆粒粒徑信息。


    動態光散射納米粒度及zeta電位分析儀性能特點

    1、高效的光路系統:采用固體激光器和一體化光纖技術集成的光路,充分滿足空間相干性的要求,極大地提高了散射光信號的信噪比。

    2、高靈敏度光子探測器:采用計數型光電倍增管或雪崩光電二極管,對光子信號具有極高的靈敏度和信噪比; 采用邊沿觸發模式對光子進行計數,瞬間捕捉光子脈沖的變化。

    3、大動態范圍高速光子相關器:采用高、低速通道搭配的結構設計光子相關器,有效解決了硬件資源與通道數量之間的矛盾,實現了大的動態范圍,并保證了相關函數基線的穩定性。

    4、高精度溫控系統:基于半導體制冷技術,采用自適應PID控制算法,使樣品池溫度控制精度達±0.1℃。

    5、數據篩選功能:引入分位數檢測異常值的方法,鑒別受灰塵干擾的散射光數據,并剔除異常值,提高粒度測量結果的準確度。

    6、優化的反演算法:采用優擬合累積反演算法計算平均粒徑及多分散系數,基于非負約束正則化算法反演顆粒粒度分布,測量結果的準確度和重復性都優于1%。


    納米粒度及zeta電位分析儀測量

    納米粒度及zeta電位分析儀是表征分散體系穩定性的重要指標zeta電位愈高,顆粒間的相互排斥力越大,膠體體系愈穩定, 因此通過電泳光散射法測量zeta電位可以預測膠體的穩定性。


    動態光散射納米粒度及zeta電位分析儀原理

    帶電顆粒在電場力作用下向電極反方向做電泳運動,單位電場強度下的電泳速度定義為電泳遷移率。顆粒在電泳遷移時,會帶著緊密吸附層和部分擴散層一起移動,與液體之間形成滑動面,滑動面與液體內部的電位差即為zeta電位。Zeta電位與電泳遷移率的關系遵循 Henry方程,通過測量顆粒在電場中的電泳遷移率就能得出顆粒的zeta電位。


    納米粒度及zeta電位分析儀性能特點

    1.利用光纖技術集成發射光路和接收光路,替代傳統電泳光散射的分立光路,使參考光和散射光信號的傳輸不受灰塵和外界雜散光的干擾,有效地提高了信噪比和抗干擾能力。

    2.先對散射光信號進行頻譜預分析,獲取需要細化分析的頻譜范圍,然后在窄帶范圍內進行高分辨率的頻譜細化分析,從而獲得準確的散射光頻移。

    3.基于雙電層理論模型,求解顆粒的雙電層厚度,獲得準確的顆粒半徑與雙電層厚度的比值,再利用小二乘擬合算法獲得精確的Henry函數表達式,進而有效提高了納米粒度及zeta電位分析儀的計算精度。

    Henry函數的取值:

    當雙電層厚度遠遠小于顆粒的半徑,即ka>>1,Henry函數近似為1.5。雙電層厚度遠遠大于顆粒半徑時,即ka<<1,Henry函數近似為1.0。使用小二乘曲線擬合算法對Wiersema計算的精確Henry函數值進行擬合, 得到優化Henry函數表達式.


    強大易用的控制軟件

    ZS-920系列納米粒度及zeta電位分析儀的控制軟件具有納米顆粒粒度和zeta電位測量功能,一鍵式測量,自動調整散射光強, 無需用戶干涉,自動優化光子相關器參數,以適應不同樣品,讓測量變得如此輕松??刂栖浖哂袠藴驶僮?SOP)功能,讓不同實驗室、不同實驗員間的測量按照同一標準進行,測量結果更具有可比性。測量完成自動生成報表,以可視化的方式展示測量結果,讓測量結果一目了然。

    動態光散射納米粒度及zeta電位分析儀的技術指標

    動態光散射納米粒度和zeta電位儀







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